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多晶硅，是單質硅的一種形態。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。

多晶硅相關檢測標準

1、GB/T 38907-2020 節水型企業 多晶硅行業

2、GB/T 18916.47-2020 取水定額 第47部分：多晶硅生產

3、GB/T 10067.416-2019 電熱和電磁處理裝置基本技術條件 第416部分:多晶硅鑄錠爐

4、GB/T 29054-2019 太陽能電池用鑄造多晶硅塊

5、GB/T 37049-2018 電子級多晶硅中基體金屬雜質含量的測定 電感耦合等離子體質譜法

6、GB/T 37049-2018 電子級多晶硅中基體金屬雜質含量的測定 電感耦合等離子體質譜法

7、GB/T 35309-2017 用區熔法和光譜分析法評價顆粒狀多晶硅的規程

8、GB/T 25074-2017 太陽能級多晶硅

9、GB/T 33236-2016 多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法

10、GB/T 12963-2014 電子級多晶硅

11、GB 51034-2014 多晶硅工廠設計規范

12、GB/T 29054-2012 太陽能級鑄造多晶硅塊

13、GB/T 29057-2012 用區熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規程

14、GB 29447-2012 多晶硅企業單位產品能源消耗限額

15、GB/T 24579-2009 酸浸取.原子吸收光譜法測定多晶硅表面金屬污染物

16、GB/T 32652-2016 多晶硅鑄錠石英坩堝用熔融石英料

17、YS/T 1290-2018 多晶硅生產尾氣中硅烷含量的測定 氣相色譜法

18、DB15/T 1239-2017 多晶硅生產凈化氫氣用活性炭中雜質含量的測定 電感耦合等離子體發射光譜法

19、YS/T 1195-2017 多晶硅副產品 四氯化硅

20、YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉

21、DB53/T 747-2016 多晶硅生產回收氫氣中氯化氫含量的測定 氣相色譜法

22、JC/T 2349-2015 多晶硅生產用氮化硅陶瓷絕緣體

23、YS/T 1061-2015 改良西門子法多晶硅用硅芯

24、YS/T 983-2014 多晶硅還原爐和氫化爐尾氣成分的測定方法

25、DB53/T 618-2014 氣相色譜法測定多晶硅生產中氫化尾氣 組分含量

26、DB65/T 3486-2013 太陽能級多晶硅塊紅外探傷檢測方法

27、DB65/T 3485-2013 太陽能級多晶硅塊少數載流子壽命測量方法

28、DB53/T 501-2013 多晶硅用三氯氫硅雜質元素含量測定 電感耦合等離子體質譜法

29、DB53/T 499-2013 多晶硅用三氯氫硅

30、DB53/T 500-2013 多晶硅用三氯氫硅組分含量測定 氣相色譜法

31、DB13/T 1632-2012 太陽能級多晶硅塊

32、DB36/ 652-2012 太陽能級多晶硅單位產品能源消耗限額

33、JC/T 2067-2011 太陽能多晶硅用熔融石英陶瓷坩堝

34、KS D 2715-2006 單晶硅和多晶硅納米/微薄膜拉伸的試樣

35、ASTM F1724-1996 用酸性萃取原子吸收光譜法測量多晶硅表面金屬雜質的標準試驗方法

36、ASTM F1723-1996 用浮區晶體增長和光譜法評估多晶硅竿材的標準實施規范

37、CSN 34 5911-1986 多晶硅

38、GOST 19658-1981 多晶硅錠.技術條件

39、MSZ 12435/3-1977 多晶硅．主要技術特征